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PECVD系統是借助(zhu)射頻使含(han)有薄膜(mo)組成(cheng)原子(zi)的(de)(de)氣體(ti)電離，在局部形成(cheng)等(deng)離子(zi)體(ti)，而(er)等(deng)離子(zi)體(ti)化學(xue)活性(xing)很強，很容易發生反(fan)應，在基片上(shang)沉積出所期望的(de)(de)薄膜(mo)。

產品應用(yong)：該電(dian)(dian)爐采用(yong)紅外燈管加熱，通過(guo)滑(hua)動爐體(ti)實現(xian)快(kuai)速降溫。應用(yong)于半導體(ti)或太陽能電(dian)(dian)池基片(pian)退火。也可用(yong)于快(kuai)速熱退火、快(kuai)速熱氧(yang)化(hua)(hua)、快(kuai)速熱氮化(hua)(hua)、硅化(hua)(hua)物合金(jin)退火、電(dian)(dian)極合金(jin)化(hua)(hua)、氧(yang)化(hua)(hua)物生長、離子注入后退火、薄膜沉(chen)積(ji)等工藝試驗(yan) 。

操作(zuo)便(bian)捷性(xing)：抽氣(qi)口及氣(qi)路連接(jie)(jie)口采用KF式快速連接(jie)(jie)結構。簡化安裝過程(cheng)，只需用卡(ka)箍便(bian)可完成(cheng)連接(jie)(jie)，方便(bian)操作(zuo) 。

真(zhen)空快速(su)退火爐(lu)操作便(bian)捷，電熱元件(jian)采用紅外燈(deng)管，升溫速(su)度快，節省時間，滑動法蘭使裝(zhuang)卸樣品(pin)過程(cheng)簡化，方便(bian)操作，可快速(su)得到實驗結果，取消了(le)反復的(de)法蘭安裝(zhuang)過程(cheng)，減少了(le)爐(lu)管因安裝(zhuang)造成的(de)損壞。

CVD管式爐設(she)備由沉積溫度(du)控(kong)件、沉積反應室、真空控(kong)制部件和(he)氣源控(kong)制備件等(deng)部分組成亦可(ke)根據(ju)用(yong)戶需要設(she)計生產(chan)，CVD系(xi)統除了(le)主要應用(yong)在碳納米材料制備行業外，現在正在使用(yong)在許多(duo)行業，包括納米電子學、半導體(ti)、光(guang)電工程的研發、涂料等(deng)領域。