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PECVD系(xi)統(tong)配置:1.1200度開啟式雙溫區真(zhen)空管式爐2.等離子射頻(pin)電源3.多路(lu)質(zhi)量(liang)流量(liang)控制系(xi)統(tong)4.真(zhen)空系(xi)統(tong)(可選配中真(zhen)空或高(gao)真(zhen)空)
查看詳細介紹CVD管式爐(lu)設備由沉積溫度控件(jian)、沉積反應室、真空(kong)控制(zhi)部件(jian)和氣源控制(zhi)備件(jian)等(deng)(deng)部分組成亦可(ke)根據用戶需要設計(ji)生產,CVD系統除了主要應用在碳(tan)納米材料制(zhi)備行業外(wai),現在正在使用在許多行業,包括納米電(dian)子學、半(ban)導體、光(guang)電(dian)工程的(de)研(yan)發、涂料等(deng)(deng)領(ling)域。
查看詳細介紹產品用途:此款(kuan)CVD系(xi)統適用于CVD工(gong)藝,如碳化(hua)硅(gui)鍍膜、陶瓷(ci)基(ji)片導電(dian)率(lv)測(ce)試(shi)、ZnO納米結構的可(ke)控生長、陶瓷(ci)電(dian)容(MLCC)氣(qi)氛(fen)燒結真空淬(cui)火退火,快速降溫(wen)等(deng)工(gong)藝實驗。
查看詳細介紹產品(pin)用途:此款CVD系(xi)統是專(zhuan)門為在(zai)金(jin)屬箔(bo)上(shang)生長薄膜而設(she)計,特別(bie)是應用在(zai)新(xin)一代能源關于柔性金(jin)屬箔(bo)電極(ji)方面的研(yan)究,通過滑動爐實現快速加(jia)熱和(he)冷卻。
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