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PECVD系統是借助射頻使含有(you)薄膜組成原子的氣(qi)體電離,在局部形(xing)成等(deng)離子體,而等(deng)離子體化學活性(xing)很(hen)(hen)強,很(hen)(hen)容易發生(sheng)反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。
查看詳細介紹PECVD系統配置:1.1200度開啟式(shi)雙(shuang)溫區(qu)真空管式(shi)爐(lu)2.等離子射頻電源3.多路(lu)質量流量控(kong)制系統4.真空系統(可選配中真空或高真空)
查看詳細介紹PECVD系(xi)統(tong)(tong)是借助射頻使含有(you)薄膜組成(cheng)(cheng)原子的(de)氣(qi)體(ti)電離,在局部形成(cheng)(cheng)等離子體(ti),而等離子體(ti)化(hua)學活性(xing)很強,很容易發生(sheng)反(fan)應(ying),在基片上(shang)沉積出所期望(wang)的(de)薄膜。集成(cheng)(cheng)型(xing)PECVD系(xi)統(tong)(tong)PECVD-12IH-500A、1200℃小型(xing)PECVD系(xi)統(tong)(tong)PECVD-12IH-4Z/G
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